晶圓代工成熟製程市況疲軟之際，相關廠商仍持續提升製程競爭力，儲備未來景氣好轉的能量。其中，聯電（2303）推進低功耗邏輯、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體（BCD）、嵌入式高壓（eHV）等製程技術；力積電則在CMOS影像感測器（CIS）產品開發BSI製程外，亦導入55奈米射頻（RF）產品線，擴大未來接單廣度。

聯電董座洪嘉聰曾說，製程研發和穩定獲利一直是聯電營運重心，將聚焦具技術差異化及領先的特殊製程。

就實際進展方面，聯電日本子公司USJC與車用電子供應商日本電裝株式會社（DENSO）今年第2季宣布合作生產絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT），已在USJC的12吋晶圓廠量產，與早期元件相比，新一代IGBT可減少20%功率耗損，預計2025年月產量將達1萬片，展現聯電搶攻汽車電子化和自動駕駛趨勢下的龐大商機。

力積電同樣看好5G、AI、物聯網及車用等市場，積極推進製程，包括在邏輯暨特殊應用產品晶圓代工服務平台的28奈米顯示驅動IC製程、55／80奈米BCD製程、BSI CMOS影像感測IC製程，以及3D整合晶片技術平台、第三代半導體功率元件製程等。

在AI領域上，力積電不缺席，正在開發高速運算晶片所需的記憶體晶圓堆疊技術（Wafer-on-Wafer，WoW），客戶非常感興趣。